为符合5G基地台高频市场需求，拉高统合层级的砷化镓制程将是势在必行。由于功率展现出上的优势，砷化镓似乎在4G功率放大器(PA)市场，利用与CMOS制程的角力，勇夺一片天。但朝向未来的5G，在功率展现出上极具优势的氮化镓制程，却开始追赶在后。因此，促成砷化镓逐步达成协议one-chip解决方案的SoC，藉此高效率地符合5G基地台的高频市场需求，将不会是砷化镓与氮化镓产生差异的关键。
大位懋半导体技术处处长王文凯认为，现阶段来看，「价格」仍是砷化镓制程无法几乎代替CMOS制程的原因，具备价格优势的CMOS制程，能掌控诸多对功率较不讲究的应用于市场。这难道是砷化镓制程总有一天也无法打破CMOS制程之处，因此该公司非常推崇在5G高频基础建设(Infrastructure)的发展，主要的原因在于，若没回程线路(Backhaul)的网络，即便手机有再行多的mmWave功能，也是没用的。由于砷化镓制程在价格上的枪伤，若要在智能型手机等消费性产品上与CMOS制程拼成高下，似乎不是智能之荐。因此从5G基础建设著手，也就沦为业界在推动砷化镓制程上的众多方向，即便这样的发展，往往在一般消费性市场较不明显，但现是推展功率半导体朝著向前的众多动能。
王文凯更进一步回应，小型基地台(SmallCell)是我们期望未来砷化镓制程所能着墨之处，主要的原因在于其在价格上的容忍度，相比于手机应用于是较为低的，且其并不是便携设备，必需在建筑物上挂电(Plug-in)，对功率展现出度的拒绝也较为低。就整体市场来看，砷化镓若要在低统合度的CMOS制程，与高功率展现出度的氮化镓(GaN)制程之间，发挥所长，其不致得利用制程与PCB，持续将统合度的层级拉高。王文凯更进一步认为，相比于氮化镓制程，砷化镓较有机会做one-chip解决方案，因氮化镓若要超过此类型的解决方案，所须花费的时间十分宽，这也竟然砷化镓很有潜力沦为仅次硅，达成协议SoC的唯一制程。
因此，在功率上高于CMOS制程、在统合度上高于氮化镓的砷化镓，也就能在5G的中功率装置上，充分发挥出有非常的价值。王文凯也透漏，多数人对砷化镓制程的印象，逗留在手机的假晶高速电子移动晶体管(pHEMT)，不过事实上，GaAspHEMT如今在电信营运商所部署的基站Backhaul已扮演着非常最重要的角色，且频率超过90GHz以上，这包括了数据中心里的光纤(Fiber)、基地台上运用微波方式来传送讯号的天线等，都是GaAspHEMT的应用于范畴。
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